參數(shù)資料
型號(hào)： MBR1045-HE3/45
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商： MBR1045-HE3/45
MBR(F,B)1035 thru MBR(F,B)1060
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88669
Revision: 07-May-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 125 °C
T
J = 75 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instanteno
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
1000
10 000
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR1050-HE3/45 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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MBRB1035-HE3/81 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB1045-E3/45 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB1045-E3/81 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
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