參數(shù)資料
型號(hào)： MBR0520PBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： MBR0520PBF
MBR0520
Preliminary Data Sheet PD-20226 01/02
4
Fig.5-Maximum Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
Fig.6-Forward Power Loss Characteristics
Fig.7-Maximum Non-Repetitive Surge Current
Allowable
Lead
Temperature
(°C)
AverageForwardCurrent - I
F(AV)(A)
AverageForwardCurrent - I
F(AV)(A)
Average
Power
Loss
(Watts)
SquareWavePulseDuration - t
p (microsec)
Non-Repetitive
Surge
Current
-I
FSM
(A)
100
110
120
130
140
150
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
Square Wave
(D = 0.50)
see note (2)
1
10
100
10
100
1000
10000
At Any Rated Load Condition
And With Rated Vrrm Applied
Following Surge
0
0.1
0.2
0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
DC
RMS Limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
(2) Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D)
(see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR0530 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR10100/45-E3 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBRB1090/31 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB1090/45-E3 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB10100/81 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MBR0520-TP 功能描述:肖特基二極管與整流器 .5A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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MBR0530/D3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER, Diode Configuration:Single
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