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參數(shù)資料
| 型號： | MBN400C33A |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 400 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | MBN400C33A |
PDE-N400C33A-0
full
10%
T
u
rn-off
Loss
Eoff
(J/pulse)
Collector Current IC (A)
Turn-off Loss vs. Collector Current
1
0.6
0.8
0.4
0.2
0
200
100
300
400
500
0
TYPICAL
[Conditions]
VCC
=1650V,Tc=125°C
VGE
=±15V,RG=10
Lp
≈150nH
Inductive Load
full
10%
Re
v
erse
Reco
v
e
ry
Loss
Err
(J/pulse)
Collector Current IC (A)
Reverse Recovery Loss vs. Collector Current
1
0.6
0.8
0.4
0.2
0
200
100
300
400
500
0
TYPICAL
[Conditions]
VCC
=1650V,Tc=125°C
VGE
=±15V,RG=10
Lp
≈150nH
Inductive Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBN600C20 | 600 A, 2000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBN600C33A | 600 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBN600GR12A | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBN600GR12A | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBP-1035-B11 | 60 V, SILICON, PIN DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBN400GR12 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Rated 400A/1200V, Single-pack type |
| MBN400GR12AW | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel IGBT |
| MBN400GR12BW | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel IGBT |
| MBN400GS12AW | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel IGBT |
| MBN40348401 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Case |
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