參數(shù)資料
型號(hào)： MBN1200E33C
廠商： HITACHI METALS LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 388K
代理商： MBN1200E33C
IGBT MODULE
MBN1200E33C
DEPENDENCE OF CURRENT
Spec.No.IGBT-SP-06010 R1 (P3/5)
TYPICAL
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector Current IC (A)
T
ur
n-
on
L
os
s
E
on
(J
/p
ul
se
)
Eon(10%)
Eon(full)
¤
Conditions
Tc=125
Vcc=1650V
Rg=3.3
§
L=100nH
VG=±15V
IC
VGE
10%
VCE
0
t1 t3 t4 t2
Eon(10%)=
¨
IC
VCE dt
Eon(full)=
IC
VCE dt
t4
t2
t3
t1
Turn-on Loss vs. Collector Current
TYPICAL
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector Current IC (A)
T
ur
n-
of
fL
os
s
E
of
f(
J/
pu
ls
e)
Eoff(10%)
Eoff(full)
Eoff(10%)=
¨
IC
VCE dt
Eoff(full)=
¨
IC
VCE dt
t8
t6
t7
t5
VGE
VCE
IC
10%
t8
t7
t
0
t5
t6
¤
Conditions
Tc=125
Vcc=1650V
Rg=3.3
§
L=100nH
VG=±15V
Turn-off Loss vs. Collector Current
TYPICAL
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector Current IC (A)
R
ev
er
se
R
ec
ov
er
y
L
os
s
E
rr
(J
/p
ul
se
)
Err(10%)
Err(full)
Conditions
Tc=125
Vcc=1650V
Rg=3.3
L=100nH
VG=±15V
Turn-on Loss vs. Collector Current
Err(10%)=
IC
VCE dt
Err(full)=
IC
VCE dt
t12
t10
t11
t9
VCE
0.1VCE
0.1IF
IRM
IC
t10
t11
t
0
t12
t9
IF
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector Current IC (A)
Sw
itc
hi
ng
T
im
e
to
n,
tr
,to
ff
,tf
,tr
r
(
s)
toff
tf
ton
trr
tr
Conditions
Tc=125
Vcc=1650V
Rg=3.3
!
L=100nH
VG=±15V
Switching Time vs. Collector Current
TYPICAL
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PDF描述
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