<table id="qbb1g"></table><samp id="qbb1g"></samp>
  • 參數(shù)資料
    型號： MBM29LV160BE12TR
    廠商： FUJITSU LTD
    元件分類： DRAM
    英文描述： 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    中文描述： 2M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48
    封裝： PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
    文件頁數(shù)： 31/59頁
    文件大?。?/td> 653K
    代理商： MBM29LV160BE12TR
    MBM29LV160TE/BE
    -70/90/12
    31
    Write (Erase/Program) Operations
    (Continued)
    Parameter Symbols
    Description
    70
    90
    12
    Unit
    JEDEC
    Standard
    t
    AVAV
    t
    WC
    Write Cycle Time
    Min.
    70
    90
    120
    ns
    t
    AVWL
    t
    AS
    Address Setup Time
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    t
    WLAX
    t
    AH
    Address Hold Time
    Min.
    45
    45
    50
    ns
    t
    DVWH
    t
    DS
    Data Setup Time
    Min.
    35
    45
    50
    ns
    t
    WHDX
    t
    DH
    Data Hold Time
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    —
    t
    OES
    Output Enable Setup Time
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    —
    t
    OEH
    Output Enable
    Hold Time
    Read
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    Toggle and Data Polling
    Min.
    10
    10
    10
    ns
    t
    GHWL
    t
    GHWL
    Read Recover Time Before Write
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    t
    GHEL
    t
    GHEL
    Read Recover Time Before Write
    (OE High to CE Low)
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    t
    ELWL
    t
    CS
    CE Setup Time
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    t
    WLEL
    t
    WS
    WE Setup Time
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    t
    WHEH
    t
    CH
    CE Hold Time
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    t
    EHWH
    t
    WH
    WE Hold Time
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    t
    WLWH
    t
    WP
    Write Pulse Width
    Min.
    35
    45
    50
    ns
    t
    ELEH
    t
    CP
    CE Pulse Width
    Min.
    35
    45
    50
    ns
    t
    WHWL
    t
    WPH
    Write Pulse Width High
    Min.
    25
    25
    30
    ns
    t
    EHEL
    t
    CPH
    CE Pulse Width High
    Min.
    25
    25
    30
    ns
    t
    WHWH1
    t
    WHWH1
    Programming Operation
    Byte
    Typ.
    8
    8
    8
    μs
    Word
    16
    16
    16
    t
    WHWH2
    t
    WHWH2
    Sector Erase Operation (Note 1)
    Typ.
    1
    1
    1
    s
    —
    t
    VCS
    V
    CC
    Setup Time
    Min.
    50
    50
    50
    μs
    —
    t
    VIDR
    Rise Time to V
    ID
    (Note 2)
    Min.
    500
    500
    500
    ns
    —
    t
    VLHT
    Voltage Transition Time (Note 2)
    Min.
    4
    4
    4
    μs
    —
    t
    WPP
    Write Pulse Width (Note 2)
    Min.
    100
    100
    100
    μs
    —
    t
    OESP
    OE Setup Time to WE Active (Note 2)
    Min.
    4
    4
    4
    μs
    —
    t
    CSP
    CE Setup Time to WE Active (Note 2)
    Min.
    4
    4
    4
    μs
    —
    t
    RB
    Recover Time From RY/BY
    Min.
    0
    0
    0
    ns
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    MBM29LV160TE 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    MBM29LV160TE12PBT 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    MBM29LV160TE-90 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    MBM29LV160TE12TN 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    MBM29LV160TE12TR 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
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    MBM29LV160BE-70 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    MBM29LV160BE70PBT 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    MBM29LV160BE70PCV 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT
    MBM29LV160BE-70PFCN 制造商:FUJITSU 功能描述:ELECTRONIC COMPONENT
    MBM29LV160BE-70PFTN 制造商:FUJITSU 功能描述:29LV160BE-90PFTN
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