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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV017-80 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 元件分類： | 圓形連接器 |
| 英文描述： | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3124; No. of Contacts:61; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位 |
| 文件頁數(shù)： | 28/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 600K |
| 代理商： | MBM29LV017-80 |
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28
MBM29LV017
-80/-90/-12
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note:
Test Conditions: Output Load:
1 TTL gate and 30 pF (MBM29LV017-80/-90)
1 TTL gate and 100 pF (MBM29LV017-12)
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test Setup
MBM29LV017
Unit
JEDEC
Standar
d
-80
(Note)
-90
(Note)
-12
(Note)
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
Min.
80
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
80
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
80
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
Max.
30
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output HIGH-Z
—
Max.
25
30
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output HIGH-Z
—
Max.
25
30
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Address,
CE or OE, Whichever Occurs First
—
Min.
0
0
0
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
Max.
20
20
20
μ
s
Figure 4 Test Conditions
C
L
3.3 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Notes:
CL = 30 pF including jig capacitance (MBM29LV017-80/-90)
CL = 100 pF including jig capacitance (MBM29LV017-12)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV017-80PBT | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3124; No. of Contacts:61; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle RoHS Compliant: No |
| MBM29LV017-80PBT-SF2 | PTSE 6C 6#20 PIN RECP |
| MBM29LV017-90 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29LV080-10 | 8M (1M ×8) Bit Flash Memory(8M (1M ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV080-12 | 8M (1M ×8) Bit Flash Memory(8M (1M ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV017-80PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29LV017-80PBT-SF2 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29LV017-80PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29LV017-80PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29LV017-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
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