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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV002TC-90PNS |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M (256K x 8) BIT |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | PLASTIC, SON-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 49/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 436K |
| 代理商： | MBM29LV002TC-90PNS |
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49
MBM29LV002TC
-70/-90/-12
/MBM29LV002BC
-70/-90/-12
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP(I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
SON PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
300
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
2.1
6.2
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
11
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
11
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV002BC-70PNS | 2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-70PNS | 2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-70PTN | 2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-70PTR | 2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-90 | 2M (256K x 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV002TC-90PTN | 制造商:Fuji Electric 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 40 Pin, Plastic, TSSOP |
| MBM29LV002TC-90PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV004BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004BC-12PNS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
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