參數(shù)資料
型號(hào): MBM29LV002B
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
中文描述: 200萬(wàn)的CMOS(256K × 8)快閃記憶體(200萬(wàn)的CMOS(256K × 8)位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
文件頁(yè)數(shù): 24/45頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商: MBM29LV002B
24
MBM29LV002T/MBM29LV002B
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
(Continued)
Parameter Symbols
Description
-10
-12
-15
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
100
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
50
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
Notes:
C
L
3.3 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
C
L
= 30 pF including jig capacitance (MBM29LV002T-10, B-10)
C
L
= 100 pF including jig capacitance (MBM29LV002T-12, -15/B-12, -15)
Figure 4 Test Conditions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV002T CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV003T-12 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV002B-10 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV002B-12 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV002T-10 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29LV002BC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12PNS 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12PTN 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12PTR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT