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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV001BC-55PD |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M (128K x 8) BIT |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 3V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 28/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 421K |
| 代理商： | MBM29LV001BC-55PD |
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MBM29LV001TC
-55/-70
/MBM29LV001BC
-55/-70
28
Write/Erase/Program Operations
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. This timing is for Sector Protection operation.
Parameter Symbols
Description
-55
-70
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
55
70
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
20
35
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output
Enable Hold
Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
30
35
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
30
35
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
30
30
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
30
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
sec
—
t
EOE
Delay Time from Embedded Output
Enable
Max.
55
70
μs
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
μs
—
t
VIDR
Rise Time to V
ID
(Note 2)
Min.
500
500
ns
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
μs
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μs
—
t
RH
RESET Hold Time Before Read
Min.
200
200
ns
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV001BC-55PFTN | 1M (128K x 8) BIT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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