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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F040C-55PD |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M (512K X 8) BIT |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 36/40頁 |
| 文件大小： | 424K |
| 代理商： | MBM29F040C-55PD |
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36
MBM29F040C
-55/-70/-90
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP(I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
PLCC PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
8
sec
Excludes 00H programming
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
150
μs
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
4.2
10
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8.5
10
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8.5
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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