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參數資料
| 型號： | MBM29F033C-12PTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M (4M X 8) BIT |
| 中文描述： | 4M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-40 |
| 文件頁數： | 37/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 478K |
| 代理商： | MBM29F033C-12PTN |
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37
MBM29F033C
-70/-90/-12
5 V
RESET
V
CC
CE
WE
RY/BY
t
VLHT
Program or Erase Command Sequence
5 V
t
VLHT
t
VCS
t
VIDR
V
ID
t
VLHT
Unprotection period
Figure 14 Temporary Sector Group Unprotection
Figure 15 DQ
2
vs. DQ
6
Note:
DQ
2
is read from the erase-suspended sector.
DQ
2
DQ
6
WE
Erase
Erase
Suspend
Enter
Embedded
Erasing
Erase Suspend
Read
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Complete
Toggle
DQ
2
and DQ
6
with OE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-12 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F040A-12-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-90-X | FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040A-70 | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F040A-90 | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBM29F033C-12PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-70PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-70PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
| MBM29F033C-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (4M X 8) BIT |
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