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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM200GR6 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 343K |
| 代理商： | MBM200GR6 |
KS02007
Outline
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94
80
8
4-
φ5.6
7-M4
0.75
19.5
86
74
18.5
7
φ0.8
4.5
(10)
24.5
12
37.5
Terminal #110
12-Fast-on
17.5
19.5
6.5
++
-
G1 E1
G2 E2
G3 E3
G4 E4
G5 E5
G6 E6
TERMINALS
G1
G2
E1
E2
U
G3
G4
E3
E4
V
G5
G6
E5
E6
W
++
-
M - 3
M - 4
M - 6
M - 7
M - 8
M - 9
B - 1
6.5
29
7
12
36
φ0.8
46
108
93
20
18
20
25
4-
φ6.5
3-M6
48
62
4-Fast-on
Terminal
#110
15
27
E2
C1
C2E1
G2
E2
E1
G1
TERMINALS
E1
C1
G1
E2
G2
C2E1
TERMINALS
E1
C1
G1
E2
G2
C2E1
4-Fast-on
Terminal
#110
6
30
16
80
2-
φ5.6
3-M5
4-Fast-on
Terminal
#110
23
39.5
12
17
25
35
7
12
35
φ0.8
94
G1
E1
E2
G2
C2E1
E2
C1
TERMINALS
E1
C1
G1
E2
G2
C2E1
6
30
7
12
35
40
φ 0.8
2-
φ 5.6
25
35
4-Fast-on
Terminal #110
17
45
19
20
18.5
80
92
23
3-M5
C1
E2
C2E1
G1
E1
E2
G2
TERMINALS
E1
C1
G1
E2
G2
C2E1
25
93
110
62
80
15
27
18
3-M6
4-
φ 6.5
4-Fast-on
Terminal #110
6.5
30
7
12
36
46.5
φ 0.8
G1
E1
E2
G2
C2E1
C1
E2
TERMINALS
E1
C1
G1
E2
G2
C2E1
TERMINALS
E1
C1
G1
E2
G2
C2E1
Module center
93
110
80
62
5.08
8.89
40.8
29
6.5
38.8
22
28
2
28
48
4
3-M8
E2
C1
C2E1
φ
4-
0.64
4- 6.5
2- 3
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBN400C20 | 400 A, 2000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBM75GS12AW | IGBT |
| MBN400GS12AW | IGBT |
| MBM300GS12AW | IGBT |
| MBM400JS6AW | IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM-2105G | 制造商: 功能描述: 制造商:GLDSTR 功能描述: 制造商:GOLDSTAR 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MBM2149-45 | 制造商:FUGITSU 功能描述:2149-45 |
| MBM2212-20 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
| MBM2212-25 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
| mbm27128-20 | 制造商:FUJITSU 功能描述:MBM27128-20 |
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