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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM200BS6 |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | MBM200BS6 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBB75GS12A | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBM200GS6A | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBB50AS6 | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBM150GS12A | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBM100AS6 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM200GR6 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MBM-2105G | 制造商: 功能描述: 制造商:GLDSTR 功能描述: 制造商:GOLDSTAR 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MBM2149-45 | 制造商:FUGITSU 功能描述:2149-45 |
| MBM2212-20 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
| MBM2212-25 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
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