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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBL800E33C |
| 廠商： | HITACHI METALS LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 800 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-9 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 555K |
| 代理商： | MBL800E33C |
IGBT MODULE
MBL800E33C
CHARACTERISTICS CURVE
STATIC CHARACTERISTICS
Spec.No.IGBT-SP-06011 R1 (P2/5)
Collector Current vs.Collector to Emitter Voltage
TYPICAL
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Collector-Emitter Voltage VCE (V)
C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
IC
(A
)
Tc=25
11V
9V
5V
7V
VGE=15V 13V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Collector-Emitter Voltage VCE (V)
C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
IC
(A
)
Tc=125
9V
5V
7V
11V
Collector Current vs.Collector to Emitter Voltage
TYPICAL
VGE=15V
13V
TYPICAL
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
1
2
3
4
5
Forward Voltage VF (V)
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
nt
IF
(A
)
Tc=25
§
Tc=125
§
Forward Voltage of free-wheeling diode
¨
TYPICAL
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
1
2
3
4
5
Forward Voltage VF (V)
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
nt
IF
(A
)
Tc=25
Tc=125
Forward Voltage of diode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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