參數(shù)資料
型號： MBD110DWT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Dual SCHOTTKY Barrier Diodes
中文描述： 雙肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 180K
代理商： MBD110DWT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR = 10
μ
A)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
V(BR)R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
Volts
Diode Capacitance
(VR = 0, f = 1.0 MHz, Note 1)
MBD110DWT1
CT
—
0.88
1.0
pF
Total Capacitance
(VR = 15 Volts, f = 1.0 MHz)
(VR = 20 Volts, f = 1.0 MHz)
MBD330DWT1
MBD770DWT1
CT
—
—
0.9
0.5
1.5
1.0
pF
Reverse Leakage
(VR = 3.0 V)
(VR = 25 V)
(VR = 35 V)
Noise Figure
(f = 1.0 GHz, Note 2)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
IR
—
—
—
0.02
13
9.0
0.25
200
200
μ
A
nAdc
nAdc
MBD110DWT1
NF
—
6.0
—
dB
Forward Voltage
(IF = 10 mA)
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mA)
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mA)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
VF
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
Vdc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBD770DWT1 Dual SCHOTTKY Barrier Diodes
MBR2515L SWITCHMODE⑩ Power Rectifier
MBR4015LWT SWITCHMODE⑩ Power Rectifier
MBR4015 SWITCHMODE⑩ Power Rectifier
MBR5025L SWITCHMODE⑩ Power Rectifier
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參數(shù)描述
MBD110DWT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
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