參數(shù)資料
型號(hào)： MBD-1057-E26
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, KU BAND, MIXER DIODE
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 223K
代理商： MBD-1057-E26
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBD-5057-E26 SILICON, KU BAND, MIXER DIODE
MTDH-8007N-2540T SILICON, UHF-C BAND, MIXER DIODE
ML40464-148 GALLIUM ARSENIDE, KA BAND, MIXER DIODE
ML4906-118 12.4 GHz - 18 GHz, GALLIUM ARSENIDE, GUNN DIODE
ML4933-275 22 GHz - 27 GHz, GALLIUM ARSENIDE, GUNN DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBD110DWT1 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBD110DWT1G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
MBD110DWT1G_12 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes
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