*1: TA =" />
參數(shù)資料
型號(hào)： MB95F434KPMC-G-SNE2
廠商： Fujitsu Semiconductor America Inc
文件頁數(shù)： 44/56頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8BIT 20KB FLASH 32LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 600
系列： 8FX MB95430H
核心處理器： F²MC-8FX
芯體尺寸： 8-位
速度： 16MHz
連通性： I²C，SIO，UART/USART
外圍設(shè)備： LVD. POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 29
程序存儲(chǔ)器容量： 20KB（20K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 496 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.4 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 17x8/10b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 32-LQFP
包裝： 托盤
其它名稱： 865-1235
MB95430H Series
DS07–12xxx–1E
49
6.
Flash Memory Program/Erase Characteristics
*1: TA =
+25°C, VCC = 5.0 V, 100000 cycles
*2: TA =
+85°C, VCC = 3.0 V, 100000 cycles
*3: This value is converted from the result of a technology reliability assessment. (The value is converted from
the result of a high temperature accelerated test using the Arrhenius equation with the average temperature
being
+85°C).
Parameter
Value
Unit
Remarks
Min
Typ
Max
Sector erase time
(2 Kbyte sector)
—0.2*1
0.5*2
s
The time of writing 00H prior to
erasure is excluded.
Sector erase time
(16 Kbyte sector)
—0.5*1
7.5*2
s
The time of writing 00H prior to
erasure is excluded.
Byte writing time
—
21
6100*2
s
System-level overhead is excluded.
Program/erase cycle
100000
—
cycle
Power supply voltage at
program/erase
3.0
—
5.5
V
Flash memory data retention
time
20*3
—
year Average TA =
+85°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MB95F478HPMC2-G-SNE2 制造商:FUJITSU 功能描述:8-bit MCUs
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