參數(shù)資料
型號： MB85R256
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
元件分類： F-RAM
英文描述： 4Kb FRAM Serial 3V Memory
中文描述： 4Kb的鐵電串行3V的記憶
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： MB85R256
DS05-13101-3E
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
Memory FRAM
CMOS
256 K (32 K
×
8) Bit
MB85R256
I
DESCRIPTIONS
The MB85R256 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words x
8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile
memory cells.
Unlike SRAM MB85R256 is able to retain data without back-up battery.
The memory cells used for the MB85R256 has inproved at least 10
10
times of read/write access per bit, significantly
outperforming FLASH memory and EEPROM in durability.
The MB85R256 uses a pseudo - SRAM interface compatible with conventional asynchronous SRAM.
I
FEATURES
Bit configuration: 32,768 words x 8 bits
Read/write durability: 10
10
times/bit (Min)
Peripheral circuit CMOS construction
Operating power supply voltage: 3.0 V to 3.6 V
Operating temperature range:
40
°
C to
+
85
°
C
28-pin, SOP flat package
28-pin, TSOP(1) flat package
I
PACKAGES
28-pin plastic SOP
28-pin plastic TSOP(1)
(FPT-28P-M17)
(FPT-28P-M03)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MB85R256FPF-G-BNDE1 功能描述:IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
MB85R256FPNF-G-JNE2 制造商:FUJITSU 功能描述:
MB85R256FPNF-G-JNERE2 制造商:FUJITSU 功能描述: 制造商:FUJITSU 功能描述:IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP
MB85R256G 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:256K-bits FRAM LSI using the ferroelectric process and CMOS process technologies
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