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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VD22283EA-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 32M的（x 8/x16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 10/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | MB84VD22283EA-90 |
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MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE
-90
10
Table 1. 3 User Bus Operations (Flash=Byte mode; CIOf=V
SS
, SRAM=Byte mode; CIOs=V
SS
)
Legend: L = V
IL
, H = V
IH
, X = V
IL
or V
IH
. See DC Characteristics for voltage levels.
Notes: 1. Other operations except for indicated this column are inhibited.
2. WE can be V
IL
if OE is V
IL
, OE at V
IH
initiates the write operations.
3. Do not apply CEf = V
IL
, CE1s = V
IL
and CE2s = V
IH
at a time.
4. It is also used for the extended sector group protections.
5. WP/ACC = V
IL
; protection of boot sectors.
WP/ACC = V
IH
; removal of boot sectors protection.
WP/ACC = V
ACC
(9V); Program time will reduce by 40%.
6. LB
S ,
UB
S
; Don’t care or Open.
Operation (1), (3) CEf CE1s CE2s DQ
15
/A
–
1
OE WE SA(6)
UBs
(6)
DQ
to
DQ
7
DQ
8
to
DQ
14
RESET
WP/
ACC
(5)
Full Standby
H
H
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
H
X
X
L
Output Disable
H
L
H
X
H
H
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
H
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
L
H
X
A
–1
H
H
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
X
L
Read from Flash
(2)
L
H
X
A
–1
L
H
X
X
X
D
OUT
X
H
X
X
L
Write to Flash
L
H
X
A
–1
H
L
X
X
X
D
IN
X
H
X
X
L
Read from SRAM
H
L
H
X
L
H
SA
X
X
D
OUT
HIGH-Z
H
X
Write to SRAM
H
L
H
X
X
L
SA
X
X
D
IN
HIGH-Z
H
X
Temporary Sector
Group
Unprotection(4)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
X
Flash Hardware
Reset
X
H
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
L
X
X
L
Boot Block Sector
Write Protection
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD22283EA-90-PBS | 32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MB84VD22284EA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
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