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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VD22282EA-90-PBS |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| 封裝： | PLASTIC, FBGA-71 |
| 文件頁數(shù)： | 55/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | MB84VD22282EA-90-PBS |
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MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE
-90
55
Write Cycle (Note 3) (WE control) (SRAM)
t
WC
t
AS
t
WP
t
WR
t
CW
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH
VALID DATA IN
Address
WE
CE1s
D
OUT
D
IN
CE2s
t
CW
Notes: 1. If CE1s goes LOW (or CE2s goes HIGH) coincident with or after WE goes LOW, the
output will remain at high impedance.
2. If CE1s goes HIGH (or CE2s goes LOW) coincident with or before WE goes HIGH, the
output will remain at high impedance.
3. If OE is HIGH during the write cycle, the outputs will remain at high impedance.
4. Because I/O signals may be in the output state at this time, input signals of reverse
polarity must not be applied.
Note 1
Note 4
Note 2
Note 4
t
BW
LBs, UBs
t
AW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD22283EA-90 | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22283EA-90-PBS | 32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
| MB84VD22284EE-90 | TERMINAL STRIP SINGLE ROW 3 |
| MB84VD22294EE-90 | CON PCB 2P .100 HDR .23L |
| MB84VD22284EE-90-PBS | 3=3X1 HEADER STR 0.1" GOLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VD22282EE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
| MB84VD22282EE-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22282EE-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
| MB84VD22283EA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
| MB84VD22283EA-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM |
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