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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD22281EE |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 32M的（X 8/X16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 8/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | MB84VD22281EE |
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MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE
-90
8
I
DEVICE BUS OPERATIONS
Table 1. 1 User Bus Operations (Flash=Word mode; CIOf=V
CC
f, SRAM=Word mode; CIOs=V
CC
s)
Legend: L = V
IL
, H = V
IH
, X = V
IL
or V
IH
. See DC Characteristics for voltage levels.
Notes: 1. Other operations except for indicated this column are inhibited.
2. WE can be V
IL
if OE is V
IL
, OE at V
IH
initiates the write operations.
3. Do not apply CEf = V
IL
, CE1s = V
IL
IH
at a time.
4. It is also used for the extended sector group protections.
5. WP/ACC = V
IL
; protection of boot sectors.
WP/ACC = V
IH
; removal of boot sectors protection.
WP/ACC = V
ACC
(9V)
; Program time will reduce by 40%.
6. SA; Don’t care or Open.
Operation (1), (3)
CEf CE1s CE2s OE
WE
SA
(6)
LBs UBs DQ
0
to DQ
7
DQ
8
to DQ
15
RESET
WP/
ACC
(5)
Full Standby
H
H
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
H
X
X
L
Output Disable
H
L
H
H
H
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
H
X
X
X
X
H
H
HIGH-Z
HIGH-Z
L
H
X
H
H
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
X
L
Read from Flash
(2)
L
H
X
L
H
X
X
X
D
OUT
D
OUT
H
X
X
L
Write to Flash
L
H
X
H
L
X
X
X
D
IN
D
IN
H
X
X
L
Read from SRAM
H
L
H
L
H
X
L
L
D
OUT
D
OUT
H
X
H
L
HIGH-Z
D
OUT
L
H
D
OUT
HIGH-Z
Write to SRAM
H
L
H
X
L
X
L
L
D
IN
D
IN
H
X
H
L
HIGH-Z
D
IN
L
H
D
IN
HIGH-Z
Temporary Sector
Group
Unprotection(4)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
X
Flash Hardware
Reset
X
H
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
HIGH-Z
L
X
X
L
Boot Block Sector
Write Protection
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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