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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VD22281EE-90 |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 32M的（x 8/x16）閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/63頁(yè) |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | MB84VD22281EE-90 |
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MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE
-90
52
Read Cycle (SRAM)
Parameter
Symbol
Parameter Description
Min.
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time
70
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
70
ns
t
CO1
Chip Enable (CE1s) Access Time
—
70
ns
t
CO2
Chip Enable (CE2s) Access Time
—
70
ns
t
OE
Output Enable Access Time
—
35
ns
t
BA
LB, UB to Output Valid
—
70
ns
t
COE
Chip Enable (CE1s Low and CE2s High) to Output Active
5
—
ns
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
—
ns
t
BE
UB, LB Enable Low to Output Active
0
—
ns
t
OD
Chip Enable (CE1s High or CE2s Low) to Output High-Z
—
25
ns
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
—
25
ns
t
BD
UB, LB Output Enable to Output High-Z
—
25
ns
t
OH
Output Data Hold Time
10
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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