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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD22194EG-90-PBS |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | CONN HEADER 14POS DL PCB 30GOLD |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| 封裝： | PLASTIC, FBGA-71 |
| 文件頁數(shù)： | 33/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1589K |
| 代理商： | MB84VD22194EG-90-PBS |
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MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
33
I
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1. DC Characteristics
(Continued)
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
f,V
CC
s
–1.0
—
+1.0
μ
A
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
f,V
CC
s
–1.0
—
+1.0
I
LIT
RESET Inputs Leakage
Current
V
CC
f
= V
CC
f Max., V
CC
s
= V
CC
s Max,
RESET = 12.5V
—
—
35
μA
I
LIA
ACC Input Leakage
Current
V
CC
f
= V
CC
f Max.,V
CC
s
= V
CC
s Max,
WP/A
CC
= V
ACC
Max
—
—
20
mA
I
CC1
f
Flash V
CC
Active Current
(Read)
(Note 1)
CEf = V
IL
,
OE = V
IH
t
CYCLE
= 5 MHz Byte
—
—
16
mA
t
CYCLE
= 5 MHz Word
—
—
18
t
CYCLE
= 1 MHz Byte
—
—
7
mA
t
CYCLE
= 1 MHz Word
—
—
7
I
CC2
f
Flash V
CC
Active Current
(Program / Erase) (Note 2)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
—
—
35
mA
I
CC3
f
Flash V
CC
Active Current
(Read-While-Program)
(Note 5)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
Byte
—
—
51
mA
Word
—
—
53
I
CC4
f
Flash V
CC
Active Current
(Read-While-Erase)
(Note 5)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
Byte
—
—
51
mA
Word
—
—
53
I
CC5
f
Flash V
CC
Active Current
(Erase-Suspend-Program)
CEf = V
IL
, OE = V
IH
—
—
35
mA
I
CC1
s
SRAM V
CC
Active Current
V
CC
s = V
CC
Max.,
CE1s = V
IL
,
CE2s = V
IH
t
CYCLE
=10 MHz
—
—
50
mA
I
CC2
s
SRAM V
CC
Active Current
CE1s = 0.2 V,
CE2s = V
CC
s – 0.2 V,
t
CYCLE
= 10 MHz
—
—
50
mA
t
CYCLE
= 1 MHz
—
—
8
mA
I
SB1
f
Flash V
CC
Standby Current
V
CC
f = V
CC
Max., CEf = V
CC
f ± 0.3 V
RESET = V
CC
f ± 0.3 V,
WP/A
CC
= V
CC
f± 0.3 V
—
1
5
μ
A
I
SB2
f
Flash V
CC
Standby Current
(RESET)
V
CC
f = V
CC
Max., RESET = V
SS
± 0.3 V,
WP/A
CC
= V
CC
f± 0.3 V
—
1
5
μ
A
I
SB3
f
Flash V
CC
Current
(Automatic Sleep Mode)
(Note 3)
V
CC
f = V
CC
Max., CEf = V
SS
± 0.3 V
RESET = V
CC
f ± 0.3 V,
WP/A
CC
= V
CC
f± 0.3 V
V
IN
= V
CC
f± 0.3 V or V
SS
± 0.3 V
—
1
5
μ
A
I
SB1
s
SRAM V
CC
Standby Current CE1s > V
CC
s – 0.2 V, CE2s > V
CC
s – 0.2 V
—
—
15
μ
A
I
SB2
s
SRAM V
CC
Standby Current CE2s < 0.2 V
—
—
15
μ
A
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