參數(shù)資料
型號： MB84VD22184FM
廠商： Spansion Inc.
英文描述： 32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM
中文描述： 32M的（x16）的快閃記憶體和4M（x16）的靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 57/61頁
文件大?。?/td> 1589K
代理商： MB84VD22184FM
MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
57
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
(Flash)
I
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(SRAM)
Note: t
RC
: Read cycle time
*: T
A
=70
°
C
CE1s Controlled Data Retention Mode (Note 1)
Parameter
Limits
Unit
Comment
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
s
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
300
μ
s
Excludes system-level
overhead
Word Programming Time
—
16
360
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
—
100
s
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DH
Data Retention Supply Voltage
1.5
—
3.3
V
I
DDS2
Standby Current
V
DH
= 3.0 V
—
1.5
12*
μ
A
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Mode Time
0
—
—
ns
t
R
Recovery Time
t
RC
—
—
ns
V
CC
s
2.7 V
V
IH
V
DH
GND
DATA RETENTION MODE
See Note 2
t
CDR
CE1s
V
CCS
–0.2 V
See Note 2
t
R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB84VD22184FM-70PBS 32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM
MB84VD22194FM 32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM
MB84VD22194FM-70PBS 32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM
MB84VD22181EC-90 Trimmer; Series:3262; Track Resistance:5kohm; Resistance Tolerance: 10%; Power Rating:0.25W; Operating Temperature Range:-65 C to ? C; Resistor Element Material:Cermet; Temperature Coefficient:100 ppm; Adjustment Type:Top RoHS Compliant: Yes
MB84VD22181EC-90-PBS 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
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參數(shù)描述
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