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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD22184FM-70PBS |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封裝： | PLASTIC, FBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 38/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1589K |
| 代理商： | MB84VD22184FM-70PBS |
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MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
38
Erase/Program Operations (Flash)
Parameter Symbols
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
t
AVWL
t
AS
—
t
ASO
t
WLAX
t
AH
(Continued)
Description
-90
Typ.
—
—
—
—
Unit
Min.
90
0
15
45
Max.
—
—
—
—
Write Cycle Time
Address Setup Time (WE to Addr.)
Address Setup Time to CE Low During Toggle Bit Polling
Address Hold Time (WE to Addr.)
Address Hold Time from CE or OE High During Toggle Bit
Polling
Data Setup Time
Data Hold Time
Output Enable Setup Time
ns
ns
ns
ns
—
t
AHT
0
—
—
ns
t
DVWH
t
WHDX
—
t
DS
t
DH
t
OES
35
0
0
0
10
20
20
0
0
0
0
0
0
35
35
30
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
16
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
s
—
t
OEH
Output Enable Hold Time
Read
Toggle and Data Polling
—
—
t
GHEL
t
GHWL
t
WLEL
t
ELWL
t
EHWH
t
WHEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHWL
t
EHEL
t
CEPH
t
OEPH
t
GHEL
t
GHWL
t
WS
t
CS
t
WH
t
CH
t
WP
t
CP
t
WPH
t
CPH
CE High During Toggle Bit Polling
OE High During Toggle Bit Polling
Read Recover Time Before Write (OE to CEf)
Read Recover Time Before Write (OE to WE)
WE Setup Time (CEf to WE)
CEf Setup Time (WE to CEf)
WE Hold Time (CEf to WE)
CEf Hold Time (WE to CEf)
Write Pulse Width
CEf Pulse Width
Write Pulse Width High
CEf Pulse Width High
Byte Programming Operation
Word Programming Operation
Sector Erase Operation (Note 1)
t
WHWH1
t
WHWH1
t
WHWH2
t
WHWH2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD22194FM | 32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM |
| MB84VD22194FM-70PBS | 32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM |
| MB84VD22181EC-90 | Trimmer; Series:3262; Track Resistance:5kohm; Resistance Tolerance: 10%; Power Rating:0.25W; Operating Temperature Range:-65 C to ? C; Resistor Element Material:Cermet; Temperature Coefficient:100 ppm; Adjustment Type:Top RoHS Compliant: Yes |
| MB84VD22181EC-90-PBS | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22181EE-90 | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VD2218XEC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD2218XEG | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22191EC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22191EC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22191EC-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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