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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD22184EH |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 32M的（x 8/x16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1589K |
| 代理商： | MB84VD22184EH |
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MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
36
Read Only Operations Characteristics (Flash)
Note:
Test Conditions–Output Load:1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test
Setup
-90
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
Min.
Max.
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
90
—
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CEf = V
IL
OE = V
IL
—
90
ns
t
ELQV
t
CE
f
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
—
90
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
—
40
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CEf or OE, Whichever Occurs First
—
0
—
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
—
20
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD22192EC | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22192EE | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22192EG | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22192EH | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22193EC | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VD22184EH-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EH-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184FM | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184FM-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM |
| MB84VD22184FM-70PBS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM |
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