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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD22184EE-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | TERMINAL STRIP SINGLE ROW 3 |
| 中文描述： | 32M的（x 8/x16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 53/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1589K |
| 代理商： | MB84VD22184EE-90 |
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MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
53
Write Cycle (Note 3) (WE control) (SRAM)
t
WC
t
AS
t
WP
t
WR
t
CW
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH
VALID DATA IN
ADDRESSES
WE
CE1s
D
OUT
D
IN
CE2s
t
CW
Notes: 1. If CE1s goes LOW (or CE2s goes HIGH) coincident with or after WE goes LOW, the
output will remain at high impedance.
2. If CE1s goes HIGH (or CE2s goes LOW) coincident with or before WE goes HIGH, the
output will remain at high impedance.
3. If OE is HIGH during the write cycle, the outputs will remain at high impedance.
4. Because I/O signals may be in the output state at this Time, input signals of reverse
polarity must not be applied.
Note 1
Note 4
Note 2
Note 4
t
BW
LBs, UBs
t
AW
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD22194EE-90 | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EE-90-PBS | CONN, M HEADER ST 1X2 .230 |
| MB84VD22194EE-90-PBS | CONN, M HEADER UNSHROUD .025"SQ STR .1"C 1X3 .230"POST |
| MB84VD22184EG-90 | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22194EG-90 | CONN HEADER 12POS DL PCB 30GOLD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VD22184EE-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EG | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EG-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EG-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22184EH | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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