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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD21184 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（× 8 / × 16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 907K |
| 代理商： | MB84VD21184 |
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MB84VD2118XA-
85
/MB84VD2119XA-
85
29
Read Only Operations Characteristics (Flash)
Parameter
Symbols
Note : Test Conditions
Output Load : 1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times : 5 ns
Input pulse levels : 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input : 1.5 V
Output : 1.5 V
Description
Test
Setup
-85
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
Min.
Max.
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
85
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CEf
=
V
IL
OE
=
V
IL
OE
=
V
IL
85
ns
t
ELQV
t
CE
f
Chip Enable to Output Delay
85
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
35
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CEf or OE, Whichever Occurs First
0
ns
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
20
μ
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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