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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VA2106 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（x16）的快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 13/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 423K |
| 代理商： | MB84VA2106 |
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13
MB84VA2106
-10
/MB84VA2107
-10
Read Only Operations Characteristics (Flash)
Note:
Test Conditions–Output Load:1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test
Setup
-10
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
Min.
Max.
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
100
—
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CEf = V
IL
OE = V
IL
—
100
ns
t
ELQV
t
CE
f
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
—
100
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
—
40
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CEf or OE, Whichever Occurs First
—
0
—
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
—
20
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VA2107 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2107-10 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VD2008-10 | 8M (x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 16) STATIC RAM |
| MB84VD2009-10 | 8M (x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 16) STATIC RAM |
| MB84VD2008 | 8M (x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 16) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VA2106-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2107 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2107-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VB2000 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |
| MB84VB2000-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY |
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