參數(shù)資料
型號(hào)： MB84VA2007-10
廠商： FUJITSU LTD
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48
封裝： PLASTIC, BGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 26/29頁(yè)
文件大?。?/td> 349K
代理商： MB84VA2007-10
26
MB84VA2004
-10
/MB84VA2005
-10
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
(Flash)
I
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(SRAM)
* : 3
μ
A (Max.) at T
A
= –20°C to +40°C
CE1s Controlled Data Retention Mode (Note 1)
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comment
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
15
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
3,600
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
12
50
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DH
Data Retention Supply Voltage
2.0
—
3.6
V
I
DDS2
Standby Current
V
DH
= 3.0 V
—
—
30*
μ
A
V
DH
= 3.6 V
—
—
40
μ
A
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Mode Time
0
—
—
ns
t
R
Recovery Time
5
—
—
ms
V
CC
s
2.7 V
V
IH
GND
DATA RETENTION MODE
See Note 2
t
CDR
CE1s
V
CCS
–0.2 V
See Note 2
t
R
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PDF描述
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