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參數資料
| 型號： | MB81117822A-100 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×1M ×8 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×1M ×8 位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 2 × 100萬× 8位同步動態(tài)隨機存儲器（2 × 100萬的CMOS × 8位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 33/43頁 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | MB81117822A-100 |
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33
MB81117822A-125/-100/-84/-67
TIMING DIAGRAM – 1 : CLOCK ENABLE - READ AND WRITE SUSPEND (@ BL = 4)
Q1
Q2
(No change)
Q3
(No change)
Q4
D1
Not Written
D2
Not Written
D3
D4
CLK
CKE
CLK
(Internal)
DQ
(Read)
DQ
(Write)
Notes:
1.
The latency of CKE (l
CKE
) is one clock.
During read mode, burst counter will not be incremented at the next clock of CSUS command. Output remain the same
data.
During the write mode, data at the next clock of CSUS command is ignored.
2.
3.
1
3
3
1
2
2
2
2
I
CKE
(1 clock)
I
CKE
(1 clock)
TIMING DIAGRAM – 2 : CLOCK ENABLE - POWER DOWN ENTRY AND EXIT
NOP
PD(NOP)
Don’t Care
NOP
ACTV
CLK
CKE
Command
1 clock
(min)
1
2
3
NOP
3
Notes:
1.
Precharge command (PRE or PALL) should be asserted if any bank is active and in the burst mode.
Precharge command can be posted in conjunction with CKE when burst mode is ended at this clock.
The ACTV command can be latched after t
PDE
(min) + 1 clock (min). It is recommended to apply NOP command in conjunction
with CKE. It is also recommended to apply minimum of 4 clocks to stabilize external clock prior to ACTV command.
2.
3.
t
PDE
t
REF
(max)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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