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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB811171622A-125 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×512K×16 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×512K×16 位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS為512k × 2 × 16位同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（2 ×的CMOS為512k × 16位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 23/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | MB811171622A-125 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
23
MB811171622A-125/-100/-84/-67
I
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
I
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Referenced to V
SS
)
Notes:
*1.
Overshoot limit : V
IH
(max) = TBD.
Undershoot limit : V
IL
(min) = –1.5 V with a pulsewidth
≤
5 ns.
*2.
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance, Address
C
IN1
—
4
pF
Input Capacitance, Except for address
C
IN2
—
4
pF
I/O Capacitance
C
I/O
—
7
pF
Parameter
Notes
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Supply Voltage
V
CC
, V
CCQ
3.0
3.3
3.6
V
V
SS
, V
SSQ
0
0
0
V
Input High Voltage
*1
V
IH
2.0
—
V
CC
+ 0.5
V
Input Low Voltage
*2
V
IL
–0.5
—
0.8
V
°
C
Ambient Temperature
T
A
0
—
70
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| MB812 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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