型號: | MB2S/80-E3 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 橋式整流 |
英文描述: | 0.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
封裝: | MINIATURE, PLASTIC, MBS, 4 PIN |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 33K |
代理商: | MB2S/80-E3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MBD101G | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-92 |
MBR0530-GT1 | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MBR120HW-G-T1 | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MBR150-GT3 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
MBR160-G | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MB2S-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MB2S Series 200 V 0.5 A 5 uA Surface Mount Bridge Rectifier - SOIC-4 |
MB2S-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MB2S-E3 |
MB2S-E3/30 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Rectifier Bridge Single 200V 0.8A 4-Pin TO-269AA T/R |
MB2S-E3/45 | 功能描述:橋式整流器 0.5 Amp 400 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
MB2S-E3/80 | 功能描述:橋式整流器 200 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |