型號(hào): | MAZW068HG |
廠商: | PANASONIC CORP |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
封裝: | ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 199K |
代理商: | MAZW068HG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MAZW120HG | UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
MB-805 | 8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MB10S-TP | 0.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MB130L | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-216AA |
MB1510W | 15 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MAZW068HGL | 功能描述:DIODE ZENER DUAL 6.8V SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管/齊納陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):12V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):- 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:50nA @ 9V 配置:2 對(duì)共陽極 功率 - 最大:150mW 阻抗(最大)(Zzt):30 歐姆 容差:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SS迷你型5-F3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SS迷你型5-F3 包裝:Digi-Reel® 工作溫度:- 產(chǎn)品目錄頁面:1502 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MAZM120HGLDKR |
MAZW082H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type For surge absorption circuit |
MAZW082H0L | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 150MW SSSMINI3P RoHS:是 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:850 系列:TransZorb® 電壓 - 反向隔離(標(biāo)準(zhǔn)值):90V 電壓 - 擊穿:100V 功率(瓦特):1500W 電極標(biāo)記:雙向 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB,SMC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-214AB,(SMC) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SMCJ90CA-E3/57T-NDSMCJ90CA-E3/57TGITR |
MAZW082HGL | 功能描述:DIODE ZENER DUAL 8.2V SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管/齊納陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):12V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):- 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:50nA @ 9V 配置:2 對(duì)共陽極 功率 - 最大:150mW 阻抗(最大)(Zzt):30 歐姆 容差:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SS迷你型5-F3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SS迷你型5-F3 包裝:Digi-Reel® 工作溫度:- 產(chǎn)品目錄頁面:1502 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MAZM120HGLDKR |
MAZW100H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type For surge absorption circuit |