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參數資料
| 型號： | MAZM068H |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | ESD Diodes. Silicon planar type |
| 中文描述： | UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI5-F1, 5 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | MAZM068H |
ESD Diodes
MAZMxxxH Series
Silicon planar type
1
Publication date: November 2004
SKE00021AED
For surge absorption circuit
■
Features
Four elements anode-common type
Power dissipation P
D
: 150 mW
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
*
P
D
150
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
■
Common Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
±
3°C
Note)*: P
D
= 150 mW achieved with a printed circuit board.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Zener voltage
*
V
Z
I
Z
Specified value
V
Zener rise operating resistance
R
ZK
R
Z
I
Z
I
Z
Specified value
μ
A
Zener operating resistance
Specified value
Reverse current
I
R
V
R
Specified value
1.60
±
0.05
0.55
±
0.05
1.00
±
0.05
0.20
±
0.05
0.10
±
0.03
5
4
1
2
3
1
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
5
°
0
～
5
°
(
Refer to the list of the
electrical characteristics
within part numbers
Internally connected circuit
3
5
2
1
4
Note) 1. Measuring methods are based JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Electrostatic breakdown voltage is
±
10 kV
Test method: IEC1000-4-2 (C
=
150 pF, R
=
330
, Contact discharge: 10 times)
3.*: The temperature must be controlled 25°C for V
Z
mesurement.
V
Z
value measured at other temperature must be adjusted to V
Z
(25°C)
V
Z
guaranted 20 ms after current flow.
1 : Cathode 1
2 : Anode 1, 2, 3, 4
3 : Cathode 2
4 : Cathode 3
5 : Cathode 4
SSMini5-F1 Package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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