參數(shù)資料
型號： MAX8836ZEREEE+T
廠商： Maxim Integrated
文件頁數(shù)： 3/19頁
文件大?。?/td> 414K
描述： IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 16UCSP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
拓?fù)洌?/td> 降壓（降壓）同步（1），線性（LDO）（1）
功能： 任何功能
輸出數(shù)： 2
頻率 - 開關(guān)： 1.6MHz
電壓/電流 - 輸出 1： 3.4V，1.2A
電壓/電流 - 輸出 2： 2.85V，200mA
帶 LED 驅(qū)動器： 無
帶監(jiān)控器： 無
帶序列發(fā)生器： 無
電源電壓： 2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-QSOP
包裝： 帶卷 (TR)
1.2A PWM Step-Down Converter in
2mm x 2mm WLP/UCSP for PA Power
_______________________________________________________________________________________ 3
PARAMETER
CONDITIONS
MIN   TYP   MAX  UNITS
LX
p-channel MOSFET switch, I
LX
 = -40mA
0.15
On-Resistance
n-channel MOSFET rectifier, I
LX
= 40mA
0.15
&
T
A
 = +25癈
0.1    5
LX Leakage Current
V
IN1A
 = V
IN1B
 = V
IN2
 = 5.5V,
V
LX
 = 0V
T
A
 = +85癈
1
礎(chǔ)
p-Channel MOSFET Peak
Current Limit
V
LX
= 0V
1.3   1.5   1.8    A
n-Channel MOSFET Valley
Current Limit
1.1   1.3   1.6    A
Minimum On- and Off-Times
0.07
祍
Power-Up Delay
From PA_EN rising to LX rising
80   190    祍
BYPASS
T
A
 = +25癈
0.060   0.1
On-Resistance
p-channel MOSFET bypass,
I
PA
 = -90mA
T
A
 = +85癈
0.1
&
Bypass Current Limit
V
PA
 = 0V
0.8   1.4   1.8    A
Total Bypass Current Limit
V
LX
 = V
PA
 = 0V
2.1   2.9   3.6    A
Bypass Threshold
V
IN2
 rising, 150mV hysteresis
0.985 x
V
PA
V/V
T
A
 = +25癈
0.01    5
Bypass Off-Leakage Current
V
IN1A
 = V
IN1B
 = V
IN2
 = 5.5V,
V
PAA
 = V
PAB
 = 0V
T
A
 = +85癈
0.1
礎(chǔ)
LDO2
Output Voltage V
LDO2
V
IN2
 = 5.5V, I
LDO2
 = 1mA;
V
IN2
 = 3.4V, I
LDO2
 = 1mA
2.765  2.85
2.936   V
Output Current
200
mA
Current Limit
V
LDO2
 = 0V
250   550   750   mA
Dropout Voltage
I
LDO2
 = 100mA, T
A
 = +25癈 (V
LDO2
 e 2.5V)
70
mV
Line Regulation
V
IN2
 stepped from 3.5V to 5.5V, I
LDO2
 = 100mA
2.4
mV
Load Regulation
I
LDO2
 stepped from 50礎(chǔ) to 200mA
25
mV
Power-Supply Rejection
V
LDO2
/V
IN2
10Hz to 10kHz, C
LDO2
 = 1礔, I
LDO2
 = 30mA
65
dB
Output Noise
100Hz to 100kHz, C
LDO2
 = 1礔, I
LDO2
 = 30mA
35
礦
RMS
0 < I
LDO2
 < 10mA
100
nF
Output Capacitor for Stable
Operation
0 < I
LDO2
 < 200mA
1
礔
Shutdown Output Impedance   V
EN2
 = 0V
1
k&
REFBP
REFBP Output Voltage
0 d I
REFBP
 d 1礎(chǔ)
1.237  1.250  1.263   V
REFBP Supply Rejection
V
IN2
 stepped from 2.55V to 5.5V
0.2    5    mV
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V
IN1A
= V
IN1B
= V
IN2
= V
PA_EN
= V
EN2
= 3.6V, V
HP
= 0V, T
A
= -40癈 to +85癈. Typical values are at T
A
= +25癈, unless otherwise
noted.) (Note 1)
Note 1:All devices are 100% production tested at T
A
= +25癈. Limits over the operating temperature range are guaranteed by design.
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