參數(shù)資料
型號： MAT01AHZ
廠商： ANALOG DEVICES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 25 mA, 45 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-78
封裝： METAL CAN, H06A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 873K
代理商： MAT01AHZ
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MAT01N
Parameter
Symbol
Conditions
Typical
Unit
Average Offset Voltage Drift
TCVOS
0.35
V/°C
Average Offset Current Drift
TCIOS
15
pA/
°C
Collector-Emitter-Leakage
Current
ICES
VCE = 30 V, VBE = 0
90
pA
Collector-Base-Leakage
Current
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
25
pA
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 10 V, IC = 10 mA
450
MHz
Offset Voltage Stability
VOS/T
First Month (Note 1)
2.0
V/Mo
Long-Term (Note 2)
0.2
V/Mo
(@ VCB = 15 V and IC = 10 A, TA = +25 C, unless otherwise noted.)
NOTES
1Exclude first hour of operation to allow for stabilization.
2Parameter describes long-term average drift after first month of operation.
3Sample tested.
4The collector-base (I
CBO) and collector-emitter (ICES) leakage currents may be
reduced by a factor of two to ten times by connecting the substrate (package) to
a potential which is lower than either collector voltage.
5I
CC and ICES are guaranteed by measurement of ICBO.
6Guaranteed by V
OS test (TCVOS
V
OS
T
for VOS
VBE) T = 298
°K for T
A = 25
°C.
7Guaranteed by I
OS test limits over temperature.
Specifications subject to change without notice.
MAT01
–3–
REV. B
相關PDF資料
PDF描述
MAT-01GH 25 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-78
MAT-01N 25 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MAT-01NACG 25 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MAT-01NBC 25 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MAT-01NBCG 25 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MAT01N 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Matched Monolithic Dual Transistor
MAT02 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Low Noise, Matched Dual Monolithic Transistor
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