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參數(shù)資料
| 型號： | MAT-03EH |
| 廠商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 mA, 36 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-78 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | MAT-03EH |
MAT03
–3–
REV. C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
Collector-Base Voltage (BVCBO) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
Collector-Emitter Voltage (BVCEO) . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
Collector-Collector Voltage (BVCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
Emitter-Emitter Voltage (BVEE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
Collector Current (IC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 mA
Emitter Current (IE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 mA
Total Power Dissipation
Ambient Temperature
≤ 70°C2 . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW
Operating Temperature Range
MAT03E/F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°C to +85°C
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . –55
°C to +150°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°C to +150°C
Lead Temperature (Soldering, 60 sec) . . . . . . . . . . . . . 300
°C
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°C to +150°C
NOTES
1Absolute maximum ratings apply to both DICE and packaged devices.
2Rating applies to TO-78 not using a heat sink and LCC; devices in free air only. For
TO-78, derate linearly at 6.3 mW/
°C above 70°C ambient temperature; for LCC,
derate at 7.8 mW/
°C.
ORDERING GUIDE
VOS max
Temperature
Package
Model
(TA = +25 C) Range
Option
MAT03EH
100
V
–40
°C to +85°C
TO-78
MAT03FH
200
V
–40
°C to +85°C
TO-78
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.
Although the MAT03 features propriety ESD protection circuitry, permanent damage may occur
on devices subjected to high-energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions
are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAT03GBC | 20 mA, 36 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-78 |
| MAT04BIEY | 30 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MAT04BY/883 | 30 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MAT04AY/883 | 30 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MAT04AY | 30 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MAT03EHZ | 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
| MAT03FH | 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
| MAT03FH | 制造商:Analog Devices 功能描述:SEMICONDUCTORSLINEAR |
| MAT03FHZ | 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
| MAT03GBC | 制造商:Analog Devices 功能描述: |
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