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參數(shù)資料
| 型號： | MAS3132E |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Switching Diodes |
| 中文描述： | 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | MAS3132E |
Switching Diodes
MAS3132E
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: November 2003
SKF00065BED
For high-speed switching circuits
■
Features
Two elements are contained in one package, allowing high-
density mounting
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance C
t
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RM
80
V
Maximum peak reverse voltage
80
V
Forward current
Single
I
F
100
mA
Double
150
Peak forward current
Single
I
FM
225
mA
Double
340
Non-repetitive peak
Single
I
FSM
500
mA
forward surge current
*
Double
750
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
V
R
I
F
=
100 mA
I
R
=
100
μ
A
V
R
=
75 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
10 mA, V
R
=
6 V
I
rr
=
0.1 I
R
, R
L
=
100
1.2
V
Reverse voltage
80
V
Reverse current
I
R
100
nA
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
2
pF
3
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1 I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Internal Connection
Note)*: t
=
1 s
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring method for diodes.
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.
3.*: t
rr
measurement circuit
1: Anode 1
2: Anode 2
3: Cathode 1, 2
SSSMini3-F1 Package
Unit: mm
Marking Symbol: MU
1
±
0
0
±
0
0
0
5
0
0
±
0
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±
0.05
1.20
±
0.05
1
2
3
5
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
1
2
3
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