參數(shù)資料
型號： MAC4DHM
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
中文描述： 敏感的門雙向硅雙向晶閘管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 131K
代理商： MAC4DHM
4
Motorola Thyristor Device Data
Figure 7. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 8. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
Figure 9. Exponential Static dv/dt versus
Gate–MT1 Resistance, MT2(+)
65
110
–40
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
2.0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
20
110
–40
4.0
2.0
0
1000
10 K
100
RGK, GATE–MT1 RESISTANCE (OHMS)
20
15
10
5.0
0
I
I
L
S
1.0
0
–25
5.0
20
50
95
–25
5.0
8.0
10
12
,
4.0
3.0
5.0
80
50
65
MT2 POSITIVE
MT2 NEGATIVE
Q2
Q3
Q1
VD = 400 V
TJ = 110
°
C
MT2 POSITIVE
6.0
–10
35
80
–10
35
95
Q4
Figure 10. Critical Rate of Rise of
Commutating Voltage
1.0
0
di/dt(c), RATE OF CHANGE OF COMMUTATING CURRENT (A/ms)
10
1.0
0.1
C
2.0
3.0
VPK = 400 V
100
°
C
90
°
C
TJ = 110
°
C
tw
VDRM
(di/dt)c =
6f ITM
1000
f =
1
2 tw
d
4.0
5.0
6.0
MT2 NEGATIVE
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PDF描述
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