參數(shù)資料
型號： MAC12HCD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
中文描述： 400 V, 12 A, TRIAC, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： MAC12HCD
3–54
Motorola Thyristor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TJ = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
Peak On-State Voltage* (ITM =
±
17 A)
Continuous Gate Trigger Current (VD = 12 V, RL = 100
)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G(–)
MT2(–), G(–)
VTM
IGT
—
—
1.85
Volts
5.0
5.0
5.0
13
16
18
35
35
35
mA
Hold Current (VD = 12 V, Gate Open, Initiating Current =
±
150 mA)
Latch Current (VD = 24 V, IG = 35 mA)
MT2(+), G(+); MT2(–), G(–)
MT2(+), G(–)
IH
IL
—
20
40
mA
—
—
20
30
50
80
mA
Gate Trigger Voltage (VD = 12 V, RL = 100
)
MT2(+), G(+)
MT2(+), G(–)
MT2(–), G(–)
VGT
0.5
0.5
0.5
0.69
0.77
0.72
1.5
1.5
1.5
Volts
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Rate of Change of Commutating Current*
(VD = 400 V, ITM =4.4A, Commutating dv/dt = 18 V/
μ
s, Gate Open,
TJ = 125
°
C, f = 250 Hz, No Snubber)
(dv/dt)c
6.5
—
—
A/ms
Critical Rate of Rise of Off–State Voltage
(VD = Rated VDRM, Exponential Waveform, Gate Open, TJ = 125
°
C)
*Indicates Pulse Test: Pulse Width
≤
2.0 ms, Duty Cycle
≤
2%.
dv/dt
250
—
—
V/
μ
s
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PDF描述
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