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參數(shù)資料
| 型號： | MA4T631000 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | MA4T631000 |
M/A-COM, Inc.
North America:
Tel. (800) 366-2266
s
Asia/Pacific: Tel. +81 (03) 3226-1671
s
Europe: Tel.
+44 (1344) 869 595
Fax (800) 618-8883
Fax +81 (03) 3226-1451
Fax +44 (1344) 300 020
8
This Preliminary Specifications Data Sheet Sheet
V 2.00
3 Volt, Low Noise High f
T Silicon Transistor
MA4T6310 Series
MA4T631035
E
F
H
B
BASE
EMITTER
COLLECTOR
EMITTER
4 PLCS.
A
G
D
C
Case Styles (Cont’d)
MA4T631039
SOT-143 — MA4T631039
Low Profile
J
G
D
E
K
N
H
M
F
B
L
C
A
P
EMITTER
BASE
EMITTER
COLLECTOR
INCHES
MILLIMETERS
DIM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX
A
—
0.044
—
1.10
B
—
0.044
—
1.10
C
—
0.040
—
1.00
D
0.030
0.035
0.75
0.90
E
0.013
0.020
0.35
0.50
F
0.003
0.006
0.08
0.15
G
0.110
0.119
2.80
3.00
H
0.047
0.056
1.20
1.40
J
0.075 TYPICAL
1.90 TYPICAL
K
0.075 TYPICAL
1.90 TYPICAL
L
—
0.103
—
2.6
M
—
0.024
—
0.6
DIM.
GRADIENT
N
10° max.1
P2°…30°
INCHES
MILLIMETERS
DIM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX
A
0.092
0.108
2.34
2.74
B
0.079
0.087
2.01
2.21
C
—
0.070
—
1.78
D
0.019
0.025
0.48
0.64
E
0.018
0.022
0.046
0.56
F
0.150
—
3.81
—
G
0.003
0.006
0.08
0.15
H
45°
Micro-X — MA4T631035
Case Style 1139
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA4T631035 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA4T632535 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA4T632539RT7 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA4T632539TR7 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA4T632539 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MA4TD0410T | 制造商:MPLUSE 制造商全稱:MPLUSE 功能描述:Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier |
| MA4TD1110 | 制造商:MPLUSE 制造商全稱:MPLUSE 功能描述:Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier |
| MA4TD1110T | 制造商:MPLUSE 制造商全稱:MPLUSE 功能描述:Silicon Bipolar MMIC Cascadable Amplifier |
| MA4VAT2000 | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:ATTENUATOR - VARIABLE VOLTAGE |
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