- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380315 > MA3S795 (PANASONIC CORP) Silicon epitaxial planar type PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MA3S795 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, SC-81, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | MA3S795 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S795
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits
I
Features
Extra-small SS-mini type 3-pin package, allowing high-density
mounting
Optimum for low-voltage rectification because of its low forward
rise voltage (V
F
) (Low V
F
type of MA3X704A)
Optimum for high-frequency rectification because of its short
reverse recovery time (t
rr
)
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Marking Symbol: M2M
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
30
V
For switching circuits
30
V
Forward current (DC)
I
F
I
FM
T
j
30
mA
Peak forward current
150
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
SS-Mini Type Package(3-pin)
Internal Connection
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F1
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f
= 1 MHz
30
μ
A
Forward voltage (DC)
0.3
V
V
F2
C
t
1
V
Terminal capacitance
1.5
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
1
ns
Detection efficiency
η
V
in
= 3 V
(peak)
, f
= 30 MHz
R
L
= 3.9 k
, C
L
= 10 pF
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1.60
±
0.1
1
+
0
0
0
+
0
0
0
+
0
0
0.80
1
2
0.44
0.44
3
0.80
±
0.05
0
0
±
0
0
0
0
0
±
0
0
±
0
0.88
+
0.05
0.03
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA3U649 | Silicon planar type (cathode common) |
| MA3U689 | Silicon planar type |
| MA3U690 | Silicon planar type |
| MA3U749 | Silicon epitaxial planar type (cathode common) |
| MA3U755 | Silicon epitaxial planar type (cathode common) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA3S79500L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA3S795D | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA3S795D0L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| MA3S795E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA3S795E0L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。