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參數(shù)資料
| 型號： | MA2YD33 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI2-F1, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商： | MA2YD33 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
Publication date: December
2004
SKH
00142
AED
1
MA2YD33
Silicon epitaxial planar type
For high frequency rectification
Features
Forward current (Average) I
Small reverse current I
F(AV)
=
500
mA rectification is possible
R
Absolute Maximum Ratings
T
=
25
a
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
30
V
Repetitive peak reverse voltage
RRM
V
30
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
500
mA
Non-repetitive peak forward surge current
*
I
FSM
3
A
Junction temperature
T
j
T
125
°
C
Storage temperature
stg
T
–
55
to +
125
°
C
Note) *:
50
Hz sine wave
1
cycle (Non-repetitive peak current)
Electrical Characteristics
T
=
25
a
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
F
1
V
I
F
=
10
mA
0
.
3
0
.
4
V
F
2
V
I
F
=
500
mA
0
.
5
0
.
55
Reverse current
I
R
V
=
30
V
R
50
μ
A
Terminal capacitance
C
t
V
=
0
V, f =
1
MHz
R
60
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
t
I
F
= I
=
100
mA, I
R
R =
100
=
0
.
1
I
rr
R
5
ns
Note)
1
. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C
7031
measuring methods for diodes.
2
. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage
of current from the operating equipment.
3
. *: t
measurement circuit
rr
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
t
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
t
p
t
Output Pulse
I
=
0.1 I
R
t
r
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Marking Symbol:
2
V
Unit: mm
1: Anode
2: Cathode
Mini2-F1 Package
5°
1.6
±
0.1
1
2
0.55
±
0.1
0.80
±
0.05
0.16
+0.1
3
±
0
2
±
0
0.45
±
0.1
5
0 to 0.1
0
0
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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