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參數(shù)資料
| 型號： | MA2X329 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | UHF BAND, 42 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封裝： | MINI PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | MA2X329 |
Variable Capacitance Diodes
2
MA2X329
C
D
V
R
I
R
T
a
C
D
T
a
I
F
V
F
C
D
rank classification
Primary rank classification
Secondary rank classification
8
2
26.00
26.65
27.32
28.00
28.70
29.42
30.16
30.91
31.68
32.47
2
2
7
2
6
2
5
2
4
3
3
3
2
3
1
9
8
7
6
5
4
3
2
1
C
D(25V)
(pF)
C
D
12
3
9.20
9.43
9.67
9.91
10.16
10.41
10.67
10.94
11.21
11.49
11.78
12.07
12.37
3
3
3
3
3
8
3
7
3
6
4
5
4
4
4
3
4
2
4
1
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
11 10 9
C
D(17V)
(pF)
C
D
0
120
100
80
60
40
20
0
0.2
Forward voltage V
F
(V)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
F
F
T
a
=
60
°
C
25
°
C
40
°
C
0.01
0
40
80
120
160
20
60
100
140
0.1
1
10
100
Reverse current T
a
(
°
C)
R
R
V
R
=
33 V
1
100
10
2
20
3
30
5
50
0
8
16
24
32
4
12
20
28
36 40
Reverse voltage V
R
(V)
D
D
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
0.97
0
20
40
60
80
100
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02
1.03
Reverse current T
a
(
°
C)
C
D
(
a
=
°
C
C
D
(
a
)
V
R
=
3 V
10 V
17 V
25 V
f
=
1 MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2X333 | N type GaAs epitaxial planar type |
| MA2X334 | Silicon epitaxial planar type |
| MA2X335 | Silicon epitaxial planar type |
| MA2X338 | Silicon epitaxial planar type |
| MA2X339 | Silicon epitaxial planar type |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA2X333 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:N type GaAs epitaxial planar type |
| MA2X334 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2X335 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2X338 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2X339 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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