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參數(shù)資料
| 型號： | MA2S111 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F1, SC-79, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | MA2S111 |
Switching Diodes
MA2S111
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Super-small SS-mini type package
Allowing high-density mounting
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance, C
t
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
1 : Anode
2 : Cathode
EIAJ : SC-79
SS-Mini Type Package (2-pin)
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
80
V
Peak reverse voltage
80
V
Average forward current
I
F(AV)
I
FM
100
mA
Peak forward current
225
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
500
mA
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
75 V
I
F
=
100 mA
I
R
=
100
μ
A
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
100
nA
Forward voltage (DC)
V
F
V
R
C
t
0.95
1.2
V
Reverse voltage (DC)
80
V
Terminal capacitance
0.6
2
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
=
10 mA, V
R
=
6 V
I
rr
=
0.1 · I
R
, R
L
=
100
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
Marking Symbol: A
Note) * :t = 1 s
1.60
±
0.05
1.20
+
0.05
0.03
0
±
0
0
±
0
0
±
0
0
+
0
0
( 0.2 )
1
2
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
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