參數(shù)資料
型號： MA27E020G
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, L BAND, MIXER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI2-F3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： MA27E020G
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: October 2007
SKH00168BED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA27E020G
Silicon epitaxial planar type
For cellular phone
■ Features
High-frequency wave detection is possible.
Low forward voltage V
F
Small terminal capacitance C
t
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
20
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
20
V
Forward current
IF
35
mA
Peak forward current
IFM
100
mA
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF
= 1 mA
0.40
V
VF2
IF = 35 mA
1.0
V
Reverse current
IR
VR = 15 V
200
nA
Terminal capacitance
Ct
VR
= 0 V, f = 1 MHz
1.2
pF
Forward dynamic resistance
rf
IF = 5 mA
9
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Rated input/output frequency: 2 GHz
■ Package
Code
SSSMini2-F3
Pin Name
1: Anode
2: Cathode
■ Marking Symbol: G
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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information.
http://panasonic.net/sc/en
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PDF描述
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參數(shù)描述
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