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參數資料
| 型號： | MA21D38 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F2, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 297K |
| 代理商： | MA21D38 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
Publication date: November
2004
SKH
00138
BED
1
MA21D38
Silicon epitaxial planar type
For high frequency rectification
■
Features
I
F(AV)
=
1
A rectification is possible
Low forward voltag V
F
High non-repetitive peak forward surge voltage
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
30
V
Maximum peak reverse voltage
V
RM
30
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
1
.
0
A
Non-repetitive peak forward surge
current
*
I
FSM
20
A
Junction temperature
T
j
125
°
C
Storage time
T
stg
–
55
to +
125
°
C
Note) *: The peak-to-peak value in one cycle of
50
Hz sine wave (non-repetitive)
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
1
I
F
=
0
.
5
A
0
.
34
0
.
38
V
V
F
2
I
F
=
0
.
7
A
0
.
36
0
.
40
V
F
3
I
F
=
1
.
0
A
0
.
38
0
.
42
Reverse current
I
R
V
R
=
30
V
100
μ
A
Terminal capacitance
C
t
V
R
=
10
V, f =
1
MHz
40
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
=
100
mA, I
rr
=
10
mA,
R
L
=
100
13
ns
Note)
1
. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C
7031
measuring methods for diodes.
2
. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage
of current from the operating equipment.
3
. *: t
rr
measurement circuit
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
= 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
= 50
t
p
= 2
μ
s
t
r
= 0.35 ns
δ
= 0.05
I
F
= I
R
= 100 mA
R
L
= 100
10%
I
rr
= 10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Input Pulse
Output Pulse
5
5°
1.25
±
0.10
0.60
±
0.10
1
±
0
0
0
0.16
1
2
+0.1
–0.06
0.80
±
0.10
+0.02
–0.03
0.58
1
±
0
0
±
0
2
±
0
Unit: mm
1: Anode
2: Cathode
SMini2-F2 Package
Marking Symbol:
3
U
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PDF描述 |
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