參數(shù)資料
型號： M93C66-WMB3TP
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
封裝： 2 X 3 MM, LEAD FREE, MLP-8
文件頁數(shù)： 14/31頁
文件大?。?/td> 611K
代理商： M93C66-WMB3TP
21/31
M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46
Table 23. AC Characteristics (M93Cx6-R)
Note: 1. tCHCL + tCLCH ≥ 1 / fC.
2. Chip Select Input (S) must be brought Low for a minimum of tSLSH between consecutive instruction cycles.
3. This product is under development. For more infomation, please contact your nearest ST sales office.
Test conditions specified in Table 13. and Table 11.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.3
Max.3
Unit
fC
fSK
Clock Frequency
D.C.
1
MHz
tSLCH
Chip Select Low to Clock High
250
ns
tSHCH
tCSS
Chip Select Set-up Time
50
ns
tSLSH
2
tCS
Chip Select Low to Chip Select High
250
ns
tCHCL
1
tSKH
Clock High Time
250
ns
tCLCH
1
tSKL
Clock Low Time
250
ns
tDVCH
tDIS
Data In Set-up Time
100
ns
tCHDX
tDIH
Data In Hold Time
100
ns
tCLSH
tSKS
Clock Set-up Time (relative to S)
100
ns
tCLSL
tCSH
Chip Select Hold Time
0
ns
tSHQV
tSV
Chip Select to Ready/Busy Status
400
ns
tSLQZ
tDF
Chip Select Low to Output Hi-Z
200
ns
tCHQL
tPD0
Delay to Output Low
400
ns
tCHQV
tPD1
Delay to Output Valid
400
ns
tW
tWP
Erase/Write Cycle time
10
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MT46V32M8FG-6TIT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
MT46V32M8BG-6AT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
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參數(shù)描述
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M93C66-WMN6P 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 4K (512x8 or 256x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M93C66-WMN6T 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 4K (512x8 or 256x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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