2-30 Revision 13 The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temper" />
參數(shù)資料
型號： M7A3P1000-FG256
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 160/220頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 1M 256-FBGA
標準包裝： 90
系列： ProASIC3
RAM 位總計： 147456
輸入/輸出數(shù)： 177
門數(shù)： 1000000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 256-LBGA
供應商設備封裝： 256-FPBGA（17x17）
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ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-30
Revision 13
The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temperature. The
reliability data below is based on a 3.3 V, 12 mA I/O setting, which is the worst case for this type of
analysis.
For example, at 100°C, the short current condition would have to be sustained for more than six months
to cause a reliability concern. The I/O design does not contain any short circuit protection, but such
protection would only be needed in extremely prolonged stress conditions.
Table 2-34 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Applicable to Standard I/O Banks
Drive Strength
IOSL (mA)*
IOSH (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
27
25
4 mA
27
25
6 mA
54
51
8 mA
54
51
3.3 V LVCMOS Wide Range2
100 A
Same as regular
3.3 V LVCMOS
Same as regular
3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
2 mA
18
16
4 mA
18
16
6 mA
37
32
8 mA
37
32
1.8 V LVCMOS
2 mA
11
9
4 mA
22
17
1.5 V LVCMOS
2 mA
16
13
Notes:
1. TJ = 100°C
2. Applicable to 3.3 V LVCMOS Wide Range. IOSL/IOSH dependent on the I/O buffer drive strength selected
for wide range applications. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as
specified in the JESD-8B specification.
Table 2-35 Duration of Short Circuit Event Before Failure
Temperature
Time before Failure
–40°C
> 20 years
0°C
> 20 years
25°C
> 20 years
70°C
5 years
85°C
2 years
100°C
6 months
Table 2-36 I/O Input Rise Time, Fall Time, and Related I/O Reliability
Input Buffer
Input Rise/Fall Time (min.) Input Rise/Fall Time (max.)
Reliability
LVTTL/LVCMOS
No requirement
10 ns *
20 years (110°C)
LVDS/B-LVDS/
M-LVDS/LVPECL
No requirement
10 ns *
10 years (100°C)
Note: *The maximum input rise/fall time is related to the noise induced into the input buffer trace. If the
noise is low, then the rise time and fall time of input buffers can be increased beyond the maximum
value. The longer the rise/fall times, the more susceptible the input signal is to the board noise.
Microsemi recommends signal integrity evaluation/characterization of the system to ensure that
there is no excessive noise coupling into input signals.
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